钛掺杂介孔二氧化硅薄膜的制备与表征
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年增刊第2期
论文作者：姚兰芳 岳春晓 鲁风芹
关键词：溶胶-凝胶法; 钛掺杂的二氧化硅薄膜; 介孔结构; sol-gel processing; Ti-doped SiO2 films; mesoporous structures;
摘 要：采用溶胶-凝胶工艺,选用表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,通过正硅酸乙酯(TEOS)和钛酸丁酯(TPOT)的分步水解得到均匀的SiO2-TiO2复合溶胶,制备了具有介孔结构的钛掺杂的二氧化硅薄膜.薄膜的折射率在1.20～1.236之间可调,介电常数在2.54～2.817之间.随着钛含量的增加,折射率和介电常数增大,而孔洞率降低.结果分析表明钛离子均匀的分散在SiO2-TiO2网络中形成了Si-O-Ti键的孤立四配位形态.
姚兰芳1，岳春晓1，鲁风芹1
(1.上海理工大学理学院,上海,200093)
摘要:采用溶胶-凝胶工艺,选用表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,通过正硅酸乙酯(TEOS)和钛酸丁酯(TPOT)的分步水解得到均匀的SiO2-TiO2复合溶胶,制备了具有介孔结构的钛掺杂的二氧化硅薄膜.薄膜的折射率在1.20～1.236之间可调,介电常数在2.54～2.817之间.随着钛含量的增加,折射率和介电常数增大,而孔洞率降低.结果分析表明钛离子均匀的分散在SiO2-TiO2网络中形成了Si-O-Ti键的孤立四配位形态.
关键词:溶胶-凝胶法; 钛掺杂的二氧化硅薄膜; 介孔结构; sol-gel processing; Ti-doped SiO2 films; mesoporous structures;
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