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Y掺杂BST薄膜介电性能研究

来源期刊:稀有金属材料与工程2009年增刊第2期

论文作者:傅向军 魏雄邦 王洪全 张佳 廖家轩 潘笑风

关键词:掺杂; 钛酸锶钡薄膜; 钇; 溶胶-凝胶法; 介电性能; doping; barium strontium titanate film; yttrium (Y); sol-gel; dielectric properties;

摘    要:用改进溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了钇(Y)掺杂Ba_0.6Sr_0.4TiO_3 (BST)薄膜,研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响.XPS结果表明,Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成,但对氧空位没有明显的抑制作用.SEM和AFM结果表明,Y掺杂能缓解薄膜应力、减少薄膜裂纹、细化晶粒,进而改善薄膜的表面结构.在进行Y掺杂后,薄膜的介电性能得到明显提高,40 V外加电压下的介电调谐率大于40%及零偏压下介电损耗为0.0210,优化因子大于20.

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Y掺杂BST薄膜介电性能研究

傅向军1,魏雄邦1,王洪全1,张佳1,廖家轩1,潘笑风1

(1.电子科技大学,四川,成都,610054)

摘要:用改进溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了钇(Y)掺杂Ba_0.6Sr_0.4TiO_3 (BST)薄膜,研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响.XPS结果表明,Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成,但对氧空位没有明显的抑制作用.SEM和AFM结果表明,Y掺杂能缓解薄膜应力、减少薄膜裂纹、细化晶粒,进而改善薄膜的表面结构.在进行Y掺杂后,薄膜的介电性能得到明显提高,40 V外加电压下的介电调谐率大于40%及零偏压下介电损耗为0.0210,优化因子大于20.

关键词:掺杂; 钛酸锶钡薄膜; 钇; 溶胶-凝胶法; 介电性能; doping; barium strontium titanate film; yttrium (Y); sol-gel; dielectric properties;

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