ZnO:Al透明导电膜的制备及其性能的研究
来源期刊：材料科学与工程学报2000年第3期
论文作者：宁兆元 葛水兵 程珊华
关键词：脉冲激光沉积; ZnO膜; 掺杂比; 氧分压强;
摘 要：利用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0.75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透光率(在波长大于500nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0Pa(不充氧)、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.
宁兆元1，葛水兵1，程珊华1
(1.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006)
摘要:利用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0.75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透光率(在波长大于500nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0Pa(不充氧)、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.
关键词:脉冲激光沉积; ZnO膜; 掺杂比; 氧分压强;
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