MoSi₂-SiC原位复合材料的制备及其性能研究

来源期刊：中国钼业2005年第4期

论文作者：桂尤国 徐金富 叶以富

文章页码：43 - 46

关键词：原位合成;真空热压烧结;二硅化钼;复合材料;

摘    要：本文以Mo2C和S i粉为原料,利用真空热压烧结,研究了原位S iC颗粒增强MoS i2基复合材料的制备及其性能,结果表明:Mo2C∶S i∶MoS i2按质量百分比10.14∶6.98∶1配料,经1500℃×1 h真空热压烧结,可原位合成高强韧性的MoS i2-11%S iC复合材料,其密度为5.33g/cm3,显微硬度为16.9 GPa,断裂韧性K IC为8.1 MPam1/2,抗弯强度为452MPa。K IC和σb比纯MoS i2材料分别提高131.4%和64%。此外,对复合材料的室温增韧机理进行了初步探讨。