RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
来源期刊：材料科学与工艺2001年第3期
论文作者：孙殿照 刘成海 王晓亮 曾一平 林兰英 李晋闽 刘宏新 胡国新
关键词：RF-MBE; 二维电子气; HFET; AlGaN/GaN;
摘 要：用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-3,相应的电子迁移率为177 cm2/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6 arcmin.;A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730 cm2/Vs,相应的电子气面密度为7.6×1012 cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50 mS/mm(栅长1微米),截止频率达13.25 GHz(栅长0.5微米),可在300℃下工作.
孙殿照1，刘成海1，王晓亮1，曾一平1，林兰英1，李晋闽1，刘宏新1，胡国新1
(1.中国科学院半导体所材料中心,)
摘要:用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-3,相应的电子迁移率为177 cm2/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6 arcmin.;A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730 cm2/Vs,相应的电子气面密度为7.6×1012 cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50 mS/mm(栅长1微米),截止频率达13.25 GHz(栅长0.5微米),可在300℃下工作.
关键词:RF-MBE; 二维电子气; HFET; AlGaN/GaN;
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