半导体ZnO亚微米钉的合成与表征
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年第3期
论文作者：蔡伟 隋解和 武祥
关键词：半导体; ZnO; 亚微米钉; 合成;
摘 要：使用热蒸发法合成了一种亚微米级的钉状结构ZnO.扫描电镜和X射线衍射分析表明:使用这种方法合成的钉状ZnO具有六方纤锌矿结构;ZnO亚微米钉结构的杆部直径范围在200～400 nm之间, 底座部分的直径一般大于400 nm,有些甚至大到微米级;由于没有使用催化剂,因此推测这种ZnO亚微米钉的生长过程很可能遵循气-固生长机制.此外,还研究了这种ZnO亚微米钉结构的发光特性.
蔡伟1，隋解和1，武祥1
(1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001)
摘要:使用热蒸发法合成了一种亚微米级的钉状结构ZnO.扫描电镜和X射线衍射分析表明:使用这种方法合成的钉状ZnO具有六方纤锌矿结构;ZnO亚微米钉结构的杆部直径范围在200～400 nm之间, 底座部分的直径一般大于400 nm,有些甚至大到微米级;由于没有使用催化剂,因此推测这种ZnO亚微米钉的生长过程很可能遵循气-固生长机制.此外,还研究了这种ZnO亚微米钉结构的发光特性.
关键词:半导体; ZnO; 亚微米钉; 合成;
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