电子束端面熔炼法制备高纯钨的研究
来源期刊：材料科学与工艺2014年第1期
论文作者：马运柱 刘业 刘文胜 龙路平
文章页码：30 - 35
关键词：电子束熔炼;高纯钨;净化提纯;间隙杂质;非间隙杂质;
摘 要：采用250 kW的电子束熔炼炉对纯度为99.955%的钨棒进行提纯研究,利用扫描电镜、电感耦合等离子体光谱法（ICP-MS）和微米压痕仪分别对原料钨棒和熔炼后钨锭的形貌、纯度和显微硬度进行观察和测试.研究表明:在电子束轰击原料钨棒的过程中,钨棒端面的边缘最先熔化;经电子束熔炼后,钨棒的整体纯度显著提高,达到了99.975%,间隙杂质O和C的脱除率分别达到55.5%和45.8%;非间隙杂质的蒸汽压与脱除率密切相关,高蒸汽压的杂质元素Cd、As、K、Mg脱除较为完全,其脱除率分别为95%、90%、75%和71.4%,在钨棒中含量分别降至1、1、5和10μg/g.
马运柱，刘业，刘文胜，龙路平
中南大学粉末冶金国家重点实验室
摘 要：采用250 kW的电子束熔炼炉对纯度为99.955%的钨棒进行提纯研究,利用扫描电镜、电感耦合等离子体光谱法（ICP-MS）和微米压痕仪分别对原料钨棒和熔炼后钨锭的形貌、纯度和显微硬度进行观察和测试.研究表明:在电子束轰击原料钨棒的过程中,钨棒端面的边缘最先熔化;经电子束熔炼后,钨棒的整体纯度显著提高,达到了99.975%,间隙杂质O和C的脱除率分别达到55.5%和45.8%;非间隙杂质的蒸汽压与脱除率密切相关,高蒸汽压的杂质元素Cd、As、K、Mg脱除较为完全,其脱除率分别为95%、90%、75%和71.4%,在钨棒中含量分别降至1、1、5和10μg/g.
关键词：电子束熔炼;高纯钨;净化提纯;间隙杂质;非间隙杂质;
