退火温度对高纯钨靶显微组织和内应力的影响
来源期刊:宇航材料工艺2017年第4期
论文作者:崔子振 林岩松 石刚 张德智
文章页码:63 - 139
关键词:退火;高纯钨靶;显微组织;内应力;
摘 要:采用热等静压工艺制备了高纯钨靶,并在不同温度下对其进行退火处理。采用金相显微镜、TEM、XRD和硬度计对不同温度退火的高纯钨靶的显微组织和内应力进行表征。结果表明:高纯钨靶经1200℃真空退火后,保留了热等静压后的细晶组织,晶粒未发生长大,但是位错密度却大幅度减小,晶格畸变率下降,硬度值降低,这是由于退火处理使热等静压高纯钨靶发生回复,内应力得以释放。当退火温度低于1200℃时,钨靶的内应力去除不完全,当退火温度高于1 200℃时钨靶的晶粒开始长大,故热等静压高纯钨靶的最佳退火温度是1 200℃。
崔子振1,林岩松1,石刚1,张德智1
1. 航天材料及工艺研究所
摘 要:采用热等静压工艺制备了高纯钨靶,并在不同温度下对其进行退火处理。采用金相显微镜、TEM、XRD和硬度计对不同温度退火的高纯钨靶的显微组织和内应力进行表征。结果表明:高纯钨靶经1200℃真空退火后,保留了热等静压后的细晶组织,晶粒未发生长大,但是位错密度却大幅度减小,晶格畸变率下降,硬度值降低,这是由于退火处理使热等静压高纯钨靶发生回复,内应力得以释放。当退火温度低于1200℃时,钨靶的内应力去除不完全,当退火温度高于1 200℃时钨靶的晶粒开始长大,故热等静压高纯钨靶的最佳退火温度是1 200℃。
关键词:退火;高纯钨靶;显微组织;内应力;