在(111)Si基底上直接溅射合成PbTiO3薄膜以及Pb损失的抑制
来源期刊：功能材料2000年第4期
论文作者：范正修 汤兆胜 冯士猛 赵强
关键词：PbTiO3; 铁电薄膜; Pb损失; 冷却速率;
摘 要：利用射频磁控溅射系统,采用Ti、Pb组合靶,以O2为反应气体,在(111)Si基板上直接沉积PbTiO3薄膜,通过对不同基底温度以及沉积后的薄膜在不同的氧气氛中采用不同的降温速率降温制备.通过对所得的薄膜的结构和组成以及光学和电学特性的测试、分析得出:在535℃时沉积、溅射后直接充入107Pa的氧气并且以3℃/min的速率降至室温,制备出了性能较好的具有钙钛矿结构的PbTiO3薄膜.并对薄膜的形成机理进行了探讨.
范正修1，汤兆胜1，冯士猛1，赵强1
(1.中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心,上海,201800)
摘要:利用射频磁控溅射系统,采用Ti、Pb组合靶,以O2为反应气体,在(111)Si基板上直接沉积PbTiO3薄膜,通过对不同基底温度以及沉积后的薄膜在不同的氧气氛中采用不同的降温速率降温制备.通过对所得的薄膜的结构和组成以及光学和电学特性的测试、分析得出:在535℃时沉积、溅射后直接充入107Pa的氧气并且以3℃/min的速率降至室温,制备出了性能较好的具有钙钛矿结构的PbTiO3薄膜.并对薄膜的形成机理进行了探讨.
关键词:PbTiO3; 铁电薄膜; Pb损失; 冷却速率;
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