热蒸发法制备Zn1-x Cdx O纳米管及其生长机制研究
来源期刊：无机材料学报2009年第5期
论文作者：王发展 赵超 原思聪 张顾钟 刘勃
关键词：Zn1-xCdxO; 纳米管; 制备; 生长过程;
摘 要：采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉,在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管,其Cd含量为3.3at%. 场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,大部分纳米管外径约80～150nm,长度达数微米,壁厚约20nm. 通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL) 进行对比发现,由于Cd的掺入,Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UV NBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为,Zn1-xCdxO纳米管遵循气液固(VLS)生长机制,并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程,同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成起到了重要作用.
王发展1，赵超2，原思聪1，张顾钟1，刘勃2
(1.西安建筑科技大学,机电工程学院,西安,710055;
2.西安建筑科技大学,材料科学与工程学院,西安,710055)
摘要:采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉,在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管,其Cd含量为3.3at%. 场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,大部分纳米管外径约80～150nm,长度达数微米,壁厚约20nm. 通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL) 进行对比发现,由于Cd的掺入,Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UV NBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为,Zn1-xCdxO纳米管遵循气液固(VLS)生长机制,并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程,同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成起到了重要作用.
关键词:Zn1-xCdxO; 纳米管; 制备; 生长过程;
【全文内容正在添加中】
