氨化Si基Ga2O3/Co薄膜制备GaN纳米线
来源期刊：功能材料2008年第5期
论文作者：秦丽霞 李红 庄惠照 陈金华 薛成山 杨兆柱
关键词：磁控溅射; GaN纳米线; Co;
摘 要：采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的尺寸在 50～200nm之间.
秦丽霞1，李红1，庄惠照1，陈金华1，薛成山1，杨兆柱1
(1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的尺寸在 50～200nm之间.
关键词:磁控溅射; GaN纳米线; Co;
【全文内容正在添加中】
