Al掺杂对SiC粉体微波介电性能的影响
来源期刊：功能材料2010年第S2期
论文作者：李智敏 周万城 苏晓磊 罗发 黄云霞
文章页码：331 - 333
关键词：SiC粉体;Al掺杂;固相反应;介电性能;
摘 要：采用高温固相反应法,以Al粉和SiC粉为原料合成Al掺杂SiC粉体。通过X射线衍射分析和拉曼光谱对合成粉体进行了表征。结果表明,当反应温度高于1900℃时,合成产物中未出现Al的杂质相。在2000℃时,相对较多的Al原子进入到SiC晶格形成Al-SiC固溶体。在8.2～12.4GHz频率范围,采用波导法对未掺杂和掺杂SiC粉体的介电常数进行了测试。结果表明,Al原子掺杂形成Al-SiC固溶体,可以有效地提高SiC粉体的微波介电性能。
李智敏1，周万城2，苏晓磊3，罗发2，黄云霞1
1. 西安电子科技大学技术物理学院2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室3. 西安工程大学机电工程学院
摘 要：采用高温固相反应法,以Al粉和SiC粉为原料合成Al掺杂SiC粉体。通过X射线衍射分析和拉曼光谱对合成粉体进行了表征。结果表明,当反应温度高于1900℃时,合成产物中未出现Al的杂质相。在2000℃时,相对较多的Al原子进入到SiC晶格形成Al-SiC固溶体。在8.2～12.4GHz频率范围,采用波导法对未掺杂和掺杂SiC粉体的介电常数进行了测试。结果表明,Al原子掺杂形成Al-SiC固溶体,可以有效地提高SiC粉体的微波介电性能。
关键词：SiC粉体;Al掺杂;固相反应;介电性能;
