Al掺杂对Ti₃SiC₂陶瓷制备和性能的影响

李智敏¹，张茂林¹，闫养希¹，黄云霞¹，罗发²，庞锦标³

1. 西安电子科技大学2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室3. 中国振华集团云科电子有限公司

摘 要：采用热压烧结法制备了Al掺杂的Ti₃SiC₂陶瓷,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、矢量网络分析仪等,分别对所制备的样品进行了表征和抗氧化性能、微波介电性能测试。结果表明:所制备的Al掺杂陶瓷具有相当高的Ti₃SiC₂质量分数,陶瓷晶粒呈现明显的层状特征。相比于未掺杂样品,通过Al掺杂途径,可显著提高Ti₃SiC₂陶瓷1200℃高温下的抗氧化性能,并使Ti₃SiC₂陶瓷的介电常数实部ε’和虚部ε"值大幅度增加,其在8.2¹2.4 GHz频率范围的均值分别为60.8和6.28。

关键词：Ti₃SiC₂陶瓷;Al掺杂;热压烧结;抗氧化性能;微波介电性能;