低氮气压下燃烧合成Al掺杂β-SiC粉体的微波介电性能
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：李智敏 罗发 苏晓磊 朱冬梅 周万城
关键词：β-SiC粉体; 燃烧合成; 介电性能; β-SiC powder; combustion synthesis; dielectric property;
摘 要：以硅粉(Si)和炭黑(C)为原料、聚四氟乙烯(PTFE)为助燃剂、铝粉(Al)为掺杂源,在低压氮气气氛中通过燃烧合成的方法制备出Al掺杂β-SiC粉体.用XRD、SEM和EDS对其进行了表征,同时在频率8.2～12.4 GHz范围内对其进行介电常数的测试.结果表明未掺杂Al时生成富碳β-SiC粉体;当掺杂Al时并未生成AlN-SiC固溶体,而是Al原子进入到碳化硅晶格中占据硅的位置形成了Al/SiC固溶体,引起β-SiC晶格常数的逐渐增大.当Al掺杂含量为5 mol%时晶粒最小,同时出现了Al_2O_3杂质相,但是其介电常数实部和介电损耗达到最大值,同时对Al对β-SiC介电损耗的影响进行了讨论.
李智敏1，罗发2，苏晓磊2，朱冬梅2，周万城2
(1.西安电子科技大学,陕西,西安,710071;
2.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;
3.西安工程大学,陕西,西安,710048)
摘要:以硅粉(Si)和炭黑(C)为原料、聚四氟乙烯(PTFE)为助燃剂、铝粉(Al)为掺杂源,在低压氮气气氛中通过燃烧合成的方法制备出Al掺杂β-SiC粉体.用XRD、SEM和EDS对其进行了表征,同时在频率8.2～12.4 GHz范围内对其进行介电常数的测试.结果表明未掺杂Al时生成富碳β-SiC粉体;当掺杂Al时并未生成AlN-SiC固溶体,而是Al原子进入到碳化硅晶格中占据硅的位置形成了Al/SiC固溶体,引起β-SiC晶格常数的逐渐增大.当Al掺杂含量为5 mol%时晶粒最小,同时出现了Al_2O_3杂质相,但是其介电常数实部和介电损耗达到最大值,同时对Al对β-SiC介电损耗的影响进行了讨论.
关键词:β-SiC粉体; 燃烧合成; 介电性能; β-SiC powder; combustion synthesis; dielectric property;
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