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基体偏压对磁控溅射制备CrAlN纳米多层薄膜微观结构和力学性能的影响

来源期刊:机械工程材料2021年第3期

论文作者:王宇星 张侠

文章页码:41 - 45

关键词:CrAlN纳米多层薄膜;磁控溅射;基体偏压;微观结构;力学性能;

摘    要:采用磁控溅射技术在不同基体偏压(-60,-70,-80,-90 V)下制备了CrAlN纳米多层薄膜,研究了基体偏压对薄膜微观结构和力学性能的影响。结果表明:随着基体偏压绝对值增大,CrAlN纳米多层薄膜中的氮含量增加,物相组成不变,择优取向由CrN(111)晶面转变为CrN(200)晶面,薄膜表面孔隙减少,组织致密性得到改善;基体偏压为-60~-80 V时,偏压对薄膜沉积速率的影响较小,偏压绝对值大于80 V时,沉积速率明显下降;随着基体偏压绝对值增大,薄膜的硬度和弹性模量提高,膜基结合力先增大后减小,在偏压为-80 V时达到最大。

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基体偏压对磁控溅射制备CrAlN纳米多层薄膜微观结构和力学性能的影响

王宇星1,2,张侠1

1. 上海城建职业学院机电工程与信息学院2. 浙江工业大学材料科学与工程学院

摘 要:采用磁控溅射技术在不同基体偏压(-60,-70,-80,-90 V)下制备了CrAlN纳米多层薄膜,研究了基体偏压对薄膜微观结构和力学性能的影响。结果表明:随着基体偏压绝对值增大,CrAlN纳米多层薄膜中的氮含量增加,物相组成不变,择优取向由CrN(111)晶面转变为CrN(200)晶面,薄膜表面孔隙减少,组织致密性得到改善;基体偏压为-60~-80 V时,偏压对薄膜沉积速率的影响较小,偏压绝对值大于80 V时,沉积速率明显下降;随着基体偏压绝对值增大,薄膜的硬度和弹性模量提高,膜基结合力先增大后减小,在偏压为-80 V时达到最大。

关键词:CrAlN纳米多层薄膜;磁控溅射;基体偏压;微观结构;力学性能;

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