真空热蒸发镀CIAS薄膜

来源期刊：功能材料2015年第8期

论文作者：任海芳 周艳文 肖旋 郑欣

文章页码：8086 - 8089

关键词：CIAS薄膜;真空蒸发;硒化退火;

摘    要：采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备Cu In0.7Al0.3Se2（CIAS）薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理。结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以（112）晶面优先生长。真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比。薄膜为P型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38 e V,带电粒子数下降至2.41E+17 cm-3,带电粒子迁移率增加至5.29 cm2/（N·s）,电阻率升高至4.9Ω·cm。