真空蒸发法制备CdS薄膜及其性能研究

来源期刊：东北大学学报(自然科学版)2009年第3期

论文作者：单玉桥 党鹏 于晓中 单连中

文章页码：392 - 395

关键词：CdS;太阳电池;薄膜;真空蒸发;

摘    要：用真空蒸发法制备了CdS薄膜,用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针对薄膜的形貌、结构、光电性能进行分析测试.研究结果表明,不同基片温度下所制备的CdS薄膜主要为六方相,CdS薄膜在（002）晶面有高度的择优取向;不同基片温度下的薄膜对可见光的透光率都超过70%;薄膜的电阻率随基片温度的升高而增大;基片温度为50℃时薄膜的Eg为2.41 eV;在200℃退火处理改善了CdS薄膜的质量,结晶度提高,电阻率降低,晶粒尺寸增大;基片温度为50℃时薄膜在200℃退火后的电阻率为255Ω.cm.