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MnSe/Ti薄膜电沉积制备及其表征

来源期刊:功能材料2013年第11期

论文作者:李文坡 李春焕 马斯 谢昭明 张胜涛

文章页码:1635 - 3278

关键词:MnSe;循环伏安法;恒电位;共沉积;

摘    要:在钛电极表面上,采用电化学方法在0.1mol/L MnSO4和0.002mol/L SeO2的溶液中沉积硒化锰(MnSe)薄膜。循环伏安实验结果表明在-1.60~-1.70V电位范围易发生Mn和Se共沉积。然后采用XRD、SEM及EDS等研究沉积电位分别在-1.55、-1.60、-1.65和-1.70V时得到薄膜的特性,结果表明上述选定的电位不影响沉积层立方结构优先沿(200)晶面向;不同电位对沉积层形貌及化学计量数有显著影响。控制电位可以沉积得到不同特征的MnSe薄膜。

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MnSe/Ti薄膜电沉积制备及其表征

李文坡,李春焕,马斯,谢昭明,张胜涛

重庆大学化学化工学院

摘 要:在钛电极表面上,采用电化学方法在0.1mol/L MnSO4和0.002mol/L SeO2的溶液中沉积硒化锰(MnSe)薄膜。循环伏安实验结果表明在-1.60~-1.70V电位范围易发生Mn和Se共沉积。然后采用XRD、SEM及EDS等研究沉积电位分别在-1.55、-1.60、-1.65和-1.70V时得到薄膜的特性,结果表明上述选定的电位不影响沉积层立方结构优先沿(200)晶面向;不同电位对沉积层形貌及化学计量数有显著影响。控制电位可以沉积得到不同特征的MnSe薄膜。

关键词:MnSe;循环伏安法;恒电位;共沉积;

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