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三维针刺C/SiC在等离子焰中的烧蚀行为

来源期刊:宇航材料工艺2009年第1期

论文作者:聂景江 成来飞 张立同 徐永东 马军强

关键词:三维针刺; C/SiC; 等离子烧蚀;

摘    要:采用CVI制备了三维针刺C/SiC复合材料,利用等离子烧蚀对复合材料的烧蚀性能进行了分析.结果表明:复合材料的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为131.3μm/s和74.2 g/s,对应的标准偏差分别为4.9μm/s和4.7 mg/s.微结构观察显示烧蚀表面不同区域其烧蚀机理不同,烧蚀中心以升华烧蚀为主,过渡区主要是升华烧蚀和等离子流的剪切剥蚀为主,而烧蚀边缘则以热氧化为主.

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三维针刺C/SiC在等离子焰中的烧蚀行为

聂景江1,成来飞1,张立同1,徐永东1,马军强1

(1.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072)

摘要:采用CVI制备了三维针刺C/SiC复合材料,利用等离子烧蚀对复合材料的烧蚀性能进行了分析.结果表明:复合材料的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为131.3μm/s和74.2 g/s,对应的标准偏差分别为4.9μm/s和4.7 mg/s.微结构观察显示烧蚀表面不同区域其烧蚀机理不同,烧蚀中心以升华烧蚀为主,过渡区主要是升华烧蚀和等离子流的剪切剥蚀为主,而烧蚀边缘则以热氧化为主.

关键词:三维针刺; C/SiC; 等离子烧蚀;

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