P型半导体金刚石膜的磁阻
来源期刊：功能材料与器件学报2001年第3期
论文作者：马勇 王万录 廖克俊 方亮 王蜀霞 孔春阳
关键词：磁阻; 金刚石膜; 形状效应; 电导率;
摘 要：研究了p－型异质外延和同质外延金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻，磁阻器件的结构为条形和圆盘形。实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状，圆盘结构的磁阻大于条形结构，条形结构的磁阻还取决于不同的长－宽比。利用F－S薄膜理论,计算磁场为5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74，讨论了霍耳效应对磁阻的影响，给出了形状效应的可能机制。
马勇1，王万录2，廖克俊2，方亮1，王蜀霞2，孔春阳2
(1.重庆师范学院物理系,;
2.重庆大学理学院应用物理系,)
摘要:研究了p－型异质外延和同质外延金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻，磁阻器件的结构为条形和圆盘形。实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状，圆盘结构的磁阻大于条形结构，条形结构的磁阻还取决于不同的长－宽比。利用F－S薄膜理论,计算磁场为5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74，讨论了霍耳效应对磁阻的影响，给出了形状效应的可能机制。
关键词:磁阻; 金刚石膜; 形状效应; 电导率;
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