p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展
来源期刊：功能材料2003年第2期
论文作者：付竹西 杨晓杰 许小亮
关键词：ZnO; 同质p-n结; 激光器件;
摘 要：ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnOp-n结所面临的问题.
付竹西1，杨晓杰1，许小亮1
(1.中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026)
摘要:ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnOp-n结所面临的问题.
关键词:ZnO; 同质p-n结; 激光器件;
【全文内容正在添加中】
