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ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

来源期刊:材料导报2007年增刊第1期

论文作者:温晓莉 高国棉 韩立安 陈钊 陈长乐

关键词:ZnO; 薄膜; P型掺杂; p-n结; 磁性能;

摘    要:介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展.详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨.

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ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

温晓莉1,高国棉1,韩立安1,陈钊1,陈长乐1

(1.西北工业大学理学院应用物理系,西安,710072)

摘要:介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展.详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨.

关键词:ZnO; 薄膜; P型掺杂; p-n结; 磁性能;

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