Cu/Mo/Cu电子封装材料中Mo的分层问题

来源期刊：中国钼业2007年第5期

论文作者：周俊 王志法 崔大田 吴化波

文章页码：54 - 56

关键词：电子封装材料;Cu/Mo/Cu;再结晶;热轧温度;

摘    要：在Cu/Mo/Cu(CMC)电子封装材料的生产中发现,通过轧制复合后的CMC在加工完成品后,经常出现Mo层的分层现象。为解决这一生产问题,将Mo坯分别在冷轧态、950℃退火态、1050℃退火态、1150℃退火态进行热轧复合,通过金相观察Mo坯的组织形貌,发现1150℃完全再结晶的Mo坯复合后成品率较其它状态要好一些,但还是不能完全解决问题。随后利用冷轧态的Mo坯,热轧复合温度由850℃提高到950℃,能够达到90%的成品率,可以满足生产要求。