金属基电子封装材料进展
来源期刊:兵器材料科学与工程2001年第2期
论文作者:王志法 姜国圣 刘正春
关键词:电子封装; 复合材料; 膨胀系数; 热导率;
摘 要:对照几种传统的金属基电子封装材料,较详细地阐述了W-Cu、Mo-Cu、SiC/Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后,文章对金属基电子封装材料的发展趋势进行了展望,作者认为,未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展。
王志法1,姜国圣1,刘正春1
(1.中南大学)
摘要:对照几种传统的金属基电子封装材料,较详细地阐述了W-Cu、Mo-Cu、SiC/Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后,文章对金属基电子封装材料的发展趋势进行了展望,作者认为,未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展。
关键词:电子封装; 复合材料; 膨胀系数; 热导率;
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