SiCp/ZL109复合材料中SiC的界面行为
来源期刊：复合材料学报2000年第1期
论文作者：罗承萍 欧阳柳章 骆灼旋 隋贤栋
关键词：SiCP/ZL109复合材料; SiC/Al界面; SiC/Si界面; 晶体学位向关系; 界面Si; 亚晶铝带;
摘 要：以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si界面.靠近SiC界面的Al基体中,普遍存在一层厚度小于1μm的"亚晶铝带",其内有大量位错.SiC与Al、SiC与Si之间虽然没有固定的晶体学位向关系,但是存在下列优先关系:(103)SiC//(111)Al,[110]SiC//[110]Al;(101)SiC//(111)Si;[110]SiC//[11]Si.
罗承萍1，欧阳柳章1，骆灼旋1，隋贤栋1
(1.华南理工大学,机电工程系,广州,510641)
摘要:以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si界面.靠近SiC界面的Al基体中,普遍存在一层厚度小于1μm的"亚晶铝带",其内有大量位错.SiC与Al、SiC与Si之间虽然没有固定的晶体学位向关系,但是存在下列优先关系:(103)SiC//(111)Al,[110]SiC//[110]Al;(101)SiC//(111)Si;[110]SiC//[11]Si.
关键词:SiCP/ZL109复合材料; SiC/Al界面; SiC/Si界面; 晶体学位向关系; 界面Si; 亚晶铝带;
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