Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响
来源期刊：无机材料学报2002年第5期
论文作者：殷之文 袁辉 邵培发 廖晶莹 沈炳孚 谢建军 李长泉 张昕
关键词：钨酸铅; 掺杂; 辐照硬度; 闪烁性能;
摘 要：Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数＜1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:pwO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:pwO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Ya+:pWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.
殷之文1，袁辉1，邵培发1，廖晶莹1，沈炳孚1，谢建军1，李长泉1，张昕1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘要:Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数＜1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:pwO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:pwO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Ya+:pWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.
关键词:钨酸铅; 掺杂; 辐照硬度; 闪烁性能;
【全文内容正在添加中】
