高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长
来源期刊：无机材料学报2002年第2期
论文作者：殷之文 杨培志 邵培发 廖晶莹 沈炳孚 倪海红 方全兴
关键词：钨酸铅晶体; 坩埚下降法; 杂质分析; 闪烁性能;
摘 要：用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28mm×28mm×360mm,晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001],下降速度0.6～1.0mm/h,生长界面附近的温度梯度为20～30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率＞60%;在360nm附近的透过率＞25%.晶体的光输出＞9p.e/MeV,光伤＜5%.
殷之文1，杨培志1，邵培发1，廖晶莹1，沈炳孚1，倪海红1，方全兴1
(1.中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050)
摘要:用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28mm×28mm×360mm,晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001],下降速度0.6～1.0mm/h,生长界面附近的温度梯度为20～30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率＞60%;在360nm附近的透过率＞25%.晶体的光输出＞9p.e/MeV,光伤＜5%.
关键词:钨酸铅晶体; 坩埚下降法; 杂质分析; 闪烁性能;
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