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PCVD涂硅的动力学研究 王蕾1,周树清1,陈大凯1 (1.武汉科技大学 430081) 摘要:采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,在0．1~0．3mm厚的普通硅钢片表面涂硅,再进行短时间高温扩散,使硅钢片的含Si量增加到6．5％,铁损P10/50比原来钢片降低50％,其他磁性能也大有改善.试验结果表明,在460~600℃涂硅,其他条件不变,涂硅速度随温度升高而降低,并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究. 关键词:涂硅; PCVD法; 动力学; [全文内容正在添加中] ......
CVD法与PCVD法TiN薄膜研究 刘培英1,陶冶1,刘齐成1,刘利1 (1.北京航天航空大学材料科学与工程系,100083) 摘要:用等离子体增强化学气相沉积(PCVD)法和化学气相沉积(CVD)法分别制备TiN系薄膜.采用扫描电镜,X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构,相结构和薄膜的力学性能,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能.研究表明:PCVD法TiN系薄膜的微观组织形态明显优于同类的CVD法薄膜,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小,均匀,形态圆整,组织致密;CVD法薄膜晶粒形态为多边形,尺寸较粗大,不均匀,组织致密性差;PCVD法TiN系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类CVD法薄膜;虽然PCVD法薄膜的氯含量(约为2%)远高于CVD法薄膜(约为0.5%),但PCVD法薄膜的耐蚀性能却明显优于CVD法薄膜.还研究分析了PCVD法和CVD法成膜模式对薄膜微......
W18Cr4VCo5钢表面PCVD复合陶瓷涂层的摩擦学研究 刘明霞1,刘全坤1,黄瑶1,王雷刚1 (1.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009) 摘要:用等离子体化学气相沉积(PCVD)技术对挤压模具钢表面进行复合陶瓷强化处理,用环-块摩擦磨损试验模拟金属挤压的磨损过程,研究了复合陶瓷表面强化涂层的摩擦磨损特性.用俄歇电子能谱(AES),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了表面涂层的元素分布,相结构和磨痕形貌.结果表明,W18Cr4VCo5钢表面PCVD陶瓷涂层具有显著减摩抗磨能力. 关键词:W18Cr4VCo5钢; PCVD陶瓷涂层; 抗磨减摩; [全文内容正在添加中] ......
PCVD法制备硅系纳米复合薄膜材料 贾嘉1 (1.中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083) 摘要:纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点,成为重要的前沿研究领域之一.其中半导体纳米复合材料,尤其是硅系纳米复合薄膜,由于具有独特的光电性能,加之与集成电路相兼容的制备技术,有着广泛的应用前景.近年来关于纳米复合薄膜的研究不断深入,但仍有许多问题没有完全解决.本文围绕硅系纳米复合薄膜的材料特点,说明了等离子体化学气相沉积(PCVD)技术的工作原理和装置结构,以及该技术在硅系纳米复合薄膜制备中的独特优点.并以氮化硅薄膜为重点,介绍纳米复合薄膜材料的PCVD制备技术.文章最后对硅系纳米复合薄膜的在光电技术等各个领域的应用前景做了一些展望. 关键词:PCVD制备技术; 硅系材料; 纳米复合薄膜; [全文内容正在添加中] ......
PCVD TiN膜的界面制备及性能 徐可为1,黄鹤1,朱晓东1,何家文1 (1.西安交通大学,西安,710049) 摘要:用TiCl4作为反应气体制备PCVD TiN镀层,对降低界面的氯含量,改善PCVD TiN镀层的界面性能进行了研究.在镀层制备过程中增加了界面制备过程,即采用氩离子轰击以及氢的反应使界面的氯含量降低,膜基界面得到改善.结果表明,与常规PCVD制备的TiN镀层相比,膜层的结合强度有大幅度的提高,耐磨性和耐蚀性均有改善,特别是其耐蚀性达到甚至超过奥氏体不锈钢的水平. 关键词:PCVD; TiN; 界面; 镀层; 结合强度; 腐蚀; 磨损; [全文内容正在添加中] ......
微波PCVD法大尺寸透明自支撑金刚石膜的制备及红外透过率 汪剑波1,吕宪义1,李博1,李红东1,金曾孙1,韩柏2 (1.吉林大学超硬材料国家重点实验室,占林,长春,130012;2.哈尔滨理工大学,电气与电子工程学院,黑龙江,哈尔滨,150040) 摘要:采用微波PCVD方法制备出直径50mm膜厚300um的大尺寸透明自支撑金刚石膜.在甲烷体积分数2%的条件下制备的透明自支撑金刚石膜经过两...口上的实际应用奠定了基础. 关键词:微波PCVD; 透明自支撑金刚石膜; 红外透过率; Microwave PCVD; Transparent free-standing diamond film; IR transmittance; [全文内容正在添加中] ......
脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜 徐可为1,马胜利1,马青松1 (1.西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049) 摘要:用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜.用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pc)分析不同盲孔深度处薄膜的微观结构和力学性能.结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20 mm处出现最大值. 关键词:脉冲直流PCVD; Ti-Si-N; 复杂型腔; [全文内容正在添加中] ......
直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜 姜志刚1,白亦真1,吕宪义1,金曾孙1 (1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023) 摘要:建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(Plasma Chemical Vapour Deposition)方法.通过采用温度为1100℃~1500℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,其厚膜直径为40mm~50mm,膜厚为~4.2mm,生长速率最高达到25μm/h左右,在5μm/h~10μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜,热导率一般在10W/K*cm~12W/K*cm.高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板,明显地改善了它们的性能. 关键词:热阴极; PCVD; 金刚石厚膜; [全文内容正在......
Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响 徐可为1,王昕1,马大衍1,马胜利1 (1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049) 摘要:用工业型脉冲直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)设备,在高速钢(W18Cr4V)表面沉积Ti-Si-N三元薄膜,研究了不同N2流量对薄膜组织及性能的影响.结果表明:随N2流量增大,膜层沉积速率及膜层中Si含量减少,薄膜组织趋于致密,膜层颗粒尺寸明显减小,划痕法临界载荷和显微硬度显著增加,硬度最高可达50 GPa以上.研究发现,对应N2流量,薄膜相组成发生变化,依次存在有TiN/a-Si3N4/Si,TiN/a-Si3N4/TiSi2/Si,TiN/a-Si3N4/TiSi2三种相组成形式.分析认为,低N2或高Si效果不佳的原因在于直流PCVD是以工件为阴极,膜层中过多的Si3N4和Si将严重劣化阴极......
