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文章编号: 1004-0609(2006)06-1064-06 纳米CeO2的醇水法制备及其对GaAs晶片的抛光性能 陈志刚1, 李霞章2, 陈 杨1, 陈建清3, 倪超英4 (1. 江苏工业学院 材料科学与工程系, 常州 213016; 2. 江苏大学 材料科学与工程学院, 镇江 212013; 3. 河海大学 材料科学与工程系, 南京 210098; 4. 特拉华大学 材料科学与工程系, 纽华克19711, 美国) 摘 要: 在醇-水体系中以HMT为缓释沉淀剂制备了纳米CeO2粉体, 并用TEM, SAD, XRD对其进行了表征, 将制备的不同粒径纳米CeO2粉体配制成抛光液, 对GaAs晶片进行了化学机械抛光. 研究了醇的引入及煅烧温度对粉体性能的影响, 并就纳米CeO2磨料尺寸对GaAs晶片抛光后表面粗糙度的影响机理进行了探讨. 结果表明: 醇水体......
MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究王继红1,罗子江1,2,周勋1,3,郭祥1,周清1,刘珂1,丁召11. 贵州大学理学院2. 贵州财经学院教育管理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院摘 要:采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原......
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砷化镓真空热分解的理论计算与实验胡 亮1,2,刘大春1,2,陈秀敏1,2,杨 斌1,2,白平平1,2,段少飞1,2(1. 昆明理工大学 真空冶金国家工程实验室,昆明 650093；2. 云南省有色金属真空冶金重点实验室,昆明 650093)摘 要:利用密度泛函理论计算砷化镓(GaAs)的能带结构,态密度,密立根布居和差分电荷密度等参数,对其热分解过程进行分子动力学模拟.计算模拟结果表明:在动力学模拟条件下,部分Ga-As 键发生断裂,生成Ga和As2,Ga-As 键随模拟时间的延长分步断裂.同时,以GaAs 废料为原料,对其进行真空热分解实验研究,主要考察蒸馏温度和恒温时间对Ga 和As 分离效果的影响.实验结果表明:当系统压力为3~8 Pa,温度为1273 K和恒温时间为3 h 时,残留物镓的品质较好,纯度高于99.99%,砷主要以单质形态存在,危害小.计算模拟结果与理论分析和实验结果......
液封浮区法生长GaAs晶体中的热应力 李明伟1,陈淑仙1,刘春梅3 (1.重庆大学,动力工程学院,重庆,400044;2.重庆大学"985工程"二期建设"生物功能信息分析与仪器研究中心",重庆,400044;3.河南科技大学车辆与动力学院,河南,洛阳,471003) 摘要:用有限元法对微重力环境下液封浮区(LEFZ)法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体处于准定常状态且为轴对称的各向同性线弹性体.分析了液封厚度,晶体和进料棒转速对晶体中热应力分布的影响. 关键词:热应力; LEFZ法; GaAs晶体; 微重力; thermal stress; LEFZ method; GaAs crystal; microgravity; [全文内容正在添加中] ......
张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究 杜国同1,李献杰1,殷景志1,张树人1,王新强1 (1.吉林大学电子工程系,长春,130012) 摘要:采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化,高密度,均匀性好自组装量子点提供了依据. 关键词:自组装量子点; 有序生长; 张应变GaAs层; Self-assembled quantum dots; Ordering growth; Tensile strained GaAs layer; [全文内容正在添加中] ......
砷化镓材料的发展与前景蒋荣华,肖顺珍峨眉半导体材料研究所摘 要:综述了世界GaAs材料的生长技术发展状况,生产状况,应用和市场状况及发展趋势.关键词:GaAs材料;微电子材;光电子材料;单晶生长工艺;LEC;VCZ;HB;VGF;VB;......
在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究 何浩1,邓朝勇1,丁召1,贺业全1,杨再荣1,周勋1,罗子江1 (1.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;2.贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001;3.贵州财经学院,教育管理学院,贵州,贵阳,550004) 摘要:采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420,500,580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体. 关键词:MBE; RHEED图像; 粗糙化; EDS; GaAs表面重......
GaAs(001)薄膜的表面形貌相变和表面重构刘雪飞1,吕兵1,罗子江2,王继红3,郭祥3,杨秀璋21. 贵州师范大学物理与电子科学学院2. 贵州财经大学信息学院3. 贵州大学大数据与信息工程学院摘 要:从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)衍射图像演变和不同尺度的Scanning tunneling microscope (STM)实空间扫描图像,获取GaAs(001)薄膜表面形貌相变和表面重构的重要信息,深入地研究GaAs(001)表面形貌相变和表面重构的相互促进关系.研究发现表面重构的变化是促使表面形貌发生相变的主要动力,单一表面重构组成的GaAs(001)表面形貌更......
压痕诱导单晶GaAs非晶相变 徐永波1,贺连龙2,吴亚桥1,单智伟1,李志成1 (1.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015;2.中国科学究金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳,110015) 摘要:利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶Vickers压痕诱发的形变行为.结果表明,这种材料在Vickers硬度计载荷的作用下产生许多孪晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶,层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段. 关键词:压痕; GaAs单晶; 非晶转变; [全文内容正在添加中] ......
