Nb2O5掺杂对TiO2陶瓷性能的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2006年第2期
论文作者：马新国 黄金球 薛霞 周文斌 胡连峰 唐超群
关键词：TiO2; Nb2O5掺杂; 压敏;
摘 要：在Nb2O5含量x为0.1～1.5%的范围内,研究了Nb2O5掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.发现x＝0.7%的样品显示出最低的压敏电压(Eb=8.57V/mm )以及最高的相对介电常数2.385×104.分析认为Nb2O5掺杂的实质是Nb5+固溶于 TiO2中取代Ti4+使晶粒半导化,但掺杂量受晶格畸变作用有一定限制.
马新国1，黄金球1，薛霞1，周文斌1，胡连峰1，唐超群1
(1.华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074)
摘要:在Nb2O5含量x为0.1～1.5%的范围内,研究了Nb2O5掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.发现x＝0.7%的样品显示出最低的压敏电压(Eb=8.57V/mm )以及最高的相对介电常数2.385×104.分析认为Nb2O5掺杂的实质是Nb5+固溶于 TiO2中取代Ti4+使晶粒半导化,但掺杂量受晶格畸变作用有一定限制.
关键词:TiO2; Nb2O5掺杂; 压敏;
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