氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响

曾玉琴¹，杨艳²，余忠¹，孙科¹，朱光伟¹，许志勇¹，兰中文¹

1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室2. 成都工业学院通信工程系

摘 要：利用直流反应磁控溅射在O2和Ar混合气氛下,在Si(111)衬底上沉积NiO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜晶体结构及形貌进行分析,研究了氧含量和溅射气压对NiO薄膜择优取向和表面形貌的影响。结果表明:低氧含量下,NiO(220)晶面择优生长,薄膜表面为典型的蠕状结构;较高氧含量下,薄膜择优(111)晶面生长,织构呈现有序状态;随着溅射气压的增高,择优取向先变差再变明显,薄膜晶粒先增大后减小。

关键词：NiO薄膜;氧含量;溅射气压;微观结构;形貌;择优取向;