Cu和Cr缓冲层对SmCo5薄膜微观结构和磁性能的影响
来源期刊：磁性材料及器件2016年第5期
论文作者：张敬凌 葛妮娜 王振 谭士杰 王玉波 邱林俊 徐景
文章页码：23 - 71
关键词：Cr(Cu)/SmCo5/Cr薄膜;缓冲层;结构;磁性能;
摘 要：利用新型AE（Advanced Energy）脉冲电源采取共溅射的方式在Si片上制备不同结构的Cr/SmCo5/Cr和Cu/SmCo5/Cr薄膜,并分别研究Cu和Cr缓冲层对SmCo5薄膜磁性能和微观结构的影响。以Cu作为缓冲层时,在优于2×10―5Pa的真空环境下通过对样品在650℃退火60min,可以获得较良好的硬磁性能,垂直膜面的矫顽力可以达到1308Oe。以Cr作为缓冲层时,在低于2×10-5Pa的真空环境中,且在650℃退火60min便制备出样品。随后分别改变Cr缓冲层的厚度和SmCo5的厚度并观察其对Cr/SmCo5/Cr的磁性能的影响。
张敬凌1，葛妮娜1，王振1，谭士杰1,2，王玉波1，邱林俊1，徐景1
1. 西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地2. 西南应用磁学研究所
摘 要：利用新型AE（Advanced Energy）脉冲电源采取共溅射的方式在Si片上制备不同结构的Cr/SmCo5/Cr和Cu/SmCo5/Cr薄膜,并分别研究Cu和Cr缓冲层对SmCo5薄膜磁性能和微观结构的影响。以Cu作为缓冲层时,在优于2×10―5Pa的真空环境下通过对样品在650℃退火60min,可以获得较良好的硬磁性能,垂直膜面的矫顽力可以达到1308Oe。以Cr作为缓冲层时,在低于2×10-5Pa的真空环境中,且在650℃退火60min便制备出样品。随后分别改变Cr缓冲层的厚度和SmCo5的厚度并观察其对Cr/SmCo5/Cr的磁性能的影响。
关键词：Cr(Cu)/SmCo5/Cr薄膜;缓冲层;结构;磁性能;
