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缓冲层Ta对退火Co/Cu/Co薄膜微观结构和界面互扩散的影响

来源期刊:材料导报2018年第22期

论文作者:彭晓文 陈冷

文章页码:3931 - 3935

关键词:巨磁电阻(GMR)薄膜;缓冲层钽;退火;织构;互扩散;

摘    要:用直流磁控溅射法在Si/SiO2基底上制备了Co/Cu/Co薄膜和加入缓冲层的Ta/Co/Cu/Co薄膜,用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射和俄歇电子能谱研究了薄膜的微观结构、表面形貌、织构和界面互扩散现象。结果表明:退火后薄膜中均存在{111}和{002}衍射峰,加入缓冲层Ta后,Co/Cu/Co薄膜的衍射峰强度明显增强,并存在较强的{111}纤维织构,薄膜表面孔洞及粗糙度大幅减小。退火后薄膜界面处产生互扩散现象,层状结构被破坏。缓冲层Ta提高了薄膜与基底材料间的润湿性,可有效缓解界面互扩散现象。

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缓冲层Ta对退火Co/Cu/Co薄膜微观结构和界面互扩散的影响

彭晓文,陈冷

摘 要:用直流磁控溅射法在Si/SiO2基底上制备了Co/Cu/Co薄膜和加入缓冲层的Ta/Co/Cu/Co薄膜,用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射和俄歇电子能谱研究了薄膜的微观结构、表面形貌、织构和界面互扩散现象。结果表明:退火后薄膜中均存在{111}和{002}衍射峰,加入缓冲层Ta后,Co/Cu/Co薄膜的衍射峰强度明显增强,并存在较强的{111}纤维织构,薄膜表面孔洞及粗糙度大幅减小。退火后薄膜界面处产生互扩散现象,层状结构被破坏。缓冲层Ta提高了薄膜与基底材料间的润湿性,可有效缓解界面互扩散现象。

关键词:巨磁电阻(GMR)薄膜;缓冲层钽;退火;织构;互扩散;

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