CdZnTe晶片4种化学钝化工艺效果的比较

来源期刊：材料保护2010年第5期

论文作者：刘登峰 李园园 汪晓芹 杨志远

文章页码：40 - 123

关键词：钝化;CdZnTe晶片;化学抛光;表面漏电流;探测器;

摘    要：常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe（CZT）晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕,采用溴甲醇（Br2-CH3OH）腐蚀可有效去除损伤层和划痕,使表面变得光亮平整。但经Br2-CH3OH腐蚀的表面富Te而产生较大的表面漏电流,为此,采用H2O2溶液,NH4F/H2O2溶液,KOH-KCl溶液+NH4F/H2O2溶液二步法和溴水4种湿法化学钝化工艺,对CZT晶片表面进行了钝化处理,并对比了其钝化效果。结果表明:二步法钝化效果最好,表面漏电流降低4个数量级,NH4F/H2O2对CZT晶片表面的钝化效果较好,表面漏电流降低3个数量级。