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F掺杂对铁基超导体SmO1-xFδFeAs制备和性能的影响(英文)

来源期刊:稀有金属材料与工程2012年第7期

论文作者:刘志勇 索红莉 马麟 赵俊静 倪宝荣 郭志超 闫镔杰 刘敏 吴紫平 周美玲

文章页码:1144 - 1148

关键词:铁基超导体;SmO1-xFxFeAs;掺杂;

摘    要:研究了F掺杂对铁基超导体SmO0.7F0.3FeAs的制备和性能的影响。利用二次固相反应在1120℃保温40h制备出超导临界转变温度(Tc)为56.5K的SmO0.7F0.3FeAs超导体样品,其临界电流密度Jc为2.4×105A/cm2(10K,0T)。研究发现,SmO1-xFxFeAs样品的Tc受F含量的强烈影响,晶格参数的变化也是诱导SmO1-xFxFeAs超导体的Tc变化的原因之一。在此基础上详细研究了F元素过掺杂对铁基超导体SmO1-xFδFeAs(δ>x)制备参数和性能的影响。F元素过量时,在不降低SmO1-xFδFeAs超导性能的情况下,F元素过掺杂可以一定程度地降低样品制备时的热处理温度和极大地缩短热处理时间。1100℃时保温20h制备的SmO0.7F0.35FeAs和SmO0.7F0.4FeAs样品的Tc分别为56和55K;其临界电流密度Jc分别为1.9×105和1.7×105A/cm2(10K,0T)。

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F掺杂对铁基超导体SmO1-xFδFeAs制备和性能的影响(英文)

刘志勇1,索红莉1,马麟1,赵俊静2,3,倪宝荣4,郭志超1,闫镔杰1,刘敏1,吴紫平1,周美玲1

1. 北京工业大学教育部功能材料重点实验室2. 伊利诺斯州立大学3. 阿贡实验室4. 福冈工业大学

摘 要:研究了F掺杂对铁基超导体SmO0.7F0.3FeAs的制备和性能的影响。利用二次固相反应在1120℃保温40h制备出超导临界转变温度(Tc)为56.5K的SmO0.7F0.3FeAs超导体样品,其临界电流密度Jc为2.4×105A/cm2(10K,0T)。研究发现,SmO1-xFxFeAs样品的Tc受F含量的强烈影响,晶格参数的变化也是诱导SmO1-xFxFeAs超导体的Tc变化的原因之一。在此基础上详细研究了F元素过掺杂对铁基超导体SmO1-xFδFeAs(δ>x)制备参数和性能的影响。F元素过量时,在不降低SmO1-xFδFeAs超导性能的情况下,F元素过掺杂可以一定程度地降低样品制备时的热处理温度和极大地缩短热处理时间。1100℃时保温20h制备的SmO0.7F0.35FeAs和SmO0.7F0.4FeAs样品的Tc分别为56和55K;其临界电流密度Jc分别为1.9×105和1.7×105A/cm2(10K,0T)。

关键词:铁基超导体;SmO1-xFxFeAs;掺杂;

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