MgB2超导材料掺杂研究进展
来源期刊：材料导报2013年第21期
论文作者：付尧 张松 吴燕平 邓朝勇
文章页码：19 - 24
关键词：MgB2;临界电流密度;上临界场;SiC掺杂;有机物掺杂;
摘 要：元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义。介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因。
付尧，张松，吴燕平，邓朝勇
贵州大学理学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室
摘 要：元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义。介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因。
关键词：MgB2;临界电流密度;上临界场;SiC掺杂;有机物掺杂;
