金属有机化学气相沉积的研究进展
来源期刊：材料导报2012年第S1期
论文作者：李一 李金普 柳学全 贾成厂
文章页码：153 - 321
关键词：金属有机化学气相沉积;半导体化合物;薄膜材料;
摘 要：概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应用。
李一1,2，李金普1，柳学全2，贾成厂1
1. 北京科技大学材料科学与工程学院2. 钢铁研究总院
摘 要：概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应用。
关键词：金属有机化学气相沉积;半导体化合物;薄膜材料;
