HgInTe晶体的生长及其性能研究
来源期刊：功能材料2007年第6期
论文作者：介万奇 董阳春 王领航
关键词：HgInTe; 晶体生长; 垂直布里奇曼法; 光电半导体材料; 近红外探测器;
摘 要：利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.
介万奇1，董阳春1，王领航1
(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072)
摘要:利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.
关键词:HgInTe; 晶体生长; 垂直布里奇曼法; 光电半导体材料; 近红外探测器;
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