直拉硅中氧化诱生层错研究进展
来源期刊：材料导报2001年第11期
论文作者：杨德仁 储佳 阙端麟
关键词：氧化诱生层错; 直拉硅单晶; 氧沉淀;
摘 要：硅中的氧化诱生层错(OsF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量.要求对OSF有充分了解.综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF的形成动力学、影响因素和检测方法.并指出:OSF是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷.
杨德仁1，储佳1，阙端麟1
(1.浙江大学)
摘要:硅中的氧化诱生层错(OsF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量.要求对OSF有充分了解.综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF的形成动力学、影响因素和检测方法.并指出:OSF是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷.
关键词:氧化诱生层错; 直拉硅单晶; 氧沉淀;
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