快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2006年第5期
论文作者：马向阳 杨德仁 崔灿 马强
关键词：直拉硅单晶; 氧沉淀; 快速热处理工艺; CMOS工艺;
摘 要：本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).
马向阳1，杨德仁1，崔灿1，马强1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
摘要:本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).
关键词:直拉硅单晶; 氧沉淀; 快速热处理工艺; CMOS工艺;
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