直流电弧等离子雾化法制备纳米Sn1-xBixO2粉末的研究
来源期刊:材料开发与应用2020年第5期
论文作者:谢斌 王政红 师琳璞
文章页码:27 - 32
关键词:直流电弧;等离子体;掺Bi;纳米复合;晶粒尺寸;
摘 要:采用电弧等离子雾化法制备了不同Bi2O3含量的掺Bi纳米复合SnO2粉末,粉末的粒径在40 nm左右。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HR-TEM)分析了粉末的物相结构及形貌,并利用半高宽法(FWEH)计算了粉末的晶粒尺寸。研究表明,采用电弧等离子雾化法制备的掺Bi纳米复合SnO2粉末的主要晶相为四方相SnO2,含有少量焦绿石结构的Bi2Sn2O7相;粉末的晶格常数接近(a≈4.75?,c≈3.19?),沿(110)和(101)晶面生长;粉末的形貌呈类球形,存在少量的柱状晶,晶粒内部存在类似第二相的小颗粒。Bi2O3含量(w)为20%的粉末经过1 320℃处理后,团聚严重,有一定量的Bi2O3析出、偏聚。
谢斌,王政红,师琳璞
中国船舶重工集团公司第七二五研究所
摘 要:采用电弧等离子雾化法制备了不同Bi2O3含量的掺Bi纳米复合SnO2粉末,粉末的粒径在40 nm左右。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HR-TEM)分析了粉末的物相结构及形貌,并利用半高宽法(FWEH)计算了粉末的晶粒尺寸。研究表明,采用电弧等离子雾化法制备的掺Bi纳米复合SnO2粉末的主要晶相为四方相SnO2,含有少量焦绿石结构的Bi2Sn2O7相;粉末的晶格常数接近(a≈4.75?,c≈3.19?),沿(110)和(101)晶面生长;粉末的形貌呈类球形,存在少量的柱状晶,晶粒内部存在类似第二相的小颗粒。Bi2O3含量(w)为20%的粉末经过1 320℃处理后,团聚严重,有一定量的Bi2O3析出、偏聚。
关键词:直流电弧;等离子体;掺Bi;纳米复合;晶粒尺寸;