单晶Tm₂O₃高k栅介质漏电流输运机制研究

杨晓峰^1,2，谭永胜²，方泽波^2,3，冀婷³，汪建军²，陈太红¹

1. 西华师范大学物理与电子信息学院2. 绍兴文理学院数理信息学院3. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室

摘 要：利用分子束外延技术在p型Si（001）衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。

关键词：单晶Tm2O3薄膜;高k栅介质;肖特基发射;Frenkel-Poole发射;