Ba2+离子对Sr2Al2SiO7:Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响
来源期刊：功能材料2008年第7期
论文作者：蒙延双 朱福良 王达健
关键词：荧光体; Sr2Al2SiO7:Eu2+; Ba2+离子; 微结构与光谱;
摘 要：采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体.研究了Ba2+离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2+离子取代Sr2+离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7:Eu2+荧光体发光性能的影响.XRD结果表明Ba2+离子取代Sr2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大.进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2+离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2+离子外层电子受Ba2+离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移.同时,掺入Ba2+离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2+离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降.Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7:Eu0.022+荧光体的发射峰相比出现红移.
蒙延双1，朱福良1，王达健2
(1.兰州理工大学,材料科学与工程学院,甘肃,兰州,730050;
2.天津理工大学,材料物理研究所,天津,300191)
摘要:采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体.研究了Ba2+离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2+离子取代Sr2+离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7:Eu2+荧光体发光性能的影响.XRD结果表明Ba2+离子取代Sr2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大.进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2+离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2+离子外层电子受Ba2+离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移.同时,掺入Ba2+离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2+离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降.Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7:Eu0.022+荧光体的发射峰相比出现红移.
关键词:荧光体; Sr2Al2SiO7:Eu2+; Ba2+离子; 微结构与光谱;
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