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ZnTe:Cu多晶薄膜结构和电性质

来源期刊：功能材料与器件学报2007年第6期

论文作者：蔡伟张静全郑家贵冯良桓武莉莉蔡亚平郝瑞英黎兵李卫吴晓丽

关键词：ZnTe:Cu多晶薄膜; 共蒸发系统; 结构; 电阻率～温度; ZnTe:Cu polycrystalline thin films; co-evaporation system; structure; p～T;

摘要：用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态.根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释.并确定了最佳掺铜浓度和退火温度.

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蔡伟¹，张静全¹，郑家贵¹，冯良桓¹，武莉莉¹，蔡亚平¹，郝瑞英¹，黎兵¹，李卫¹，吴晓丽¹

(1.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064)

摘要:用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态.根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释.并确定了最佳掺铜浓度和退火温度.

关键词:ZnTe:Cu多晶薄膜; 共蒸发系统; 结构; 电阻率～温度; ZnTe:Cu polycrystalline thin films; co-evaporation system; structure; p～T;

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