用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长
来源期刊：稀有金属2007年增刊第1期
论文作者：谢自力 夏冬梅 韩平 王荣华 郑有炓 王琦
关键词：碳化; SiC; 应变Si;
摘 要：用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善.
谢自力1，夏冬梅1，韩平1，王荣华1，郑有炓1，王琦1
(1.南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093)
摘要:用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善.
关键词:碳化; SiC; 应变Si;
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