双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
来源期刊：稀有金属2005年第2期
论文作者：冯玉春 刘彩池 郭宝平 朱军山 胡加辉 徐岳生
关键词：Si(111); GaN; 金属有机物化学气相沉积(MOCVD); 双晶X射线衍射(DCXRD);
摘 要：利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840 s.采用高分辨率 DCXRD, 扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明, 以1040 ℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构, 是后续生长的"模板".低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷.DCXRD测得的FWHM为0.21, GaN峰强达7 K.
冯玉春1，刘彩池2，郭宝平1，朱军山2，胡加辉1，徐岳生2
(1.深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;
2.河北工业大学材料学院,天津,300130)
摘要:利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840 s.采用高分辨率 DCXRD, 扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明, 以1040 ℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构, 是后续生长的"模板".低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷.DCXRD测得的FWHM为0.21, GaN峰强达7 K.
关键词:Si(111); GaN; 金属有机物化学气相沉积(MOCVD); 双晶X射线衍射(DCXRD);
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