Ce、Pr共掺LSO多晶薄膜的溶胶–凝胶法制备及其发光性能
来源期刊:无机材料学报2016年第6期
论文作者:张晓欣 谢建军 范灵聪 林德宝 陈旭 施鹰
文章页码:647 - 651
关键词:溶胶–凝胶法;LSO薄膜;发光;旋涂法;Ce3+,Pr3+共掺杂;
摘 要:采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+、Pr3+共掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu2SiO5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征。结果表明:薄膜样品在1000℃下形成了A-Lu2SiO5纯相;在1100℃下形成了B-Lu2SiO5纯相。经1100℃煅烧后,通过SEM可以观察到薄膜表面均匀、平整、无裂纹,晶粒大小为200300 nm,旋涂10层的薄膜厚度约为320 nm。从PL谱中可以发现:在共掺杂体系里,Pr3+在跃迁过程中,有一部分能量传递给Ce3+离子,使Ce3+产生特征能级跃迁,并且使Ce3+发射强度比单掺杂Ce3+时的发射强度更强。
张晓欣1,谢建军1,范灵聪1,林德宝1,陈旭2,施鹰1
1. 上海大学材料科学与工程学院2. 上海大学生命科学学院
摘 要:采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+、Pr3+共掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu2SiO5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征。结果表明:薄膜样品在1000℃下形成了A-Lu2SiO5纯相;在1100℃下形成了B-Lu2SiO5纯相。经1100℃煅烧后,通过SEM可以观察到薄膜表面均匀、平整、无裂纹,晶粒大小为200300 nm,旋涂10层的薄膜厚度约为320 nm。从PL谱中可以发现:在共掺杂体系里,Pr3+在跃迁过程中,有一部分能量传递给Ce3+离子,使Ce3+产生特征能级跃迁,并且使Ce3+发射强度比单掺杂Ce3+时的发射强度更强。
关键词:溶胶–凝胶法;LSO薄膜;发光;旋涂法;Ce3+,Pr3+共掺杂;