衬底温度对Sn掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响
来源期刊：材料导报2012年第10期
论文作者：谌夏 方亮 吴芳 阮海波 魏文猴 黄秋柳
文章页码：33 - 92
关键词：Sn掺杂ZnO薄膜;射频磁控溅射;光学性质;电学性质;
摘 要：采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5%（原子分数）的ZnO∶Sn（TZO）薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能。研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率。
谌夏1，方亮2，吴芳2，阮海波2，魏文猴2，黄秋柳2
1. 重庆理工大学材料学院2. 重庆大学物理学院
摘 要：采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5%（原子分数）的ZnO∶Sn（TZO）薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能。研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率。
关键词：Sn掺杂ZnO薄膜;射频磁控溅射;光学性质;电学性质;
