SiGw/MoSi2的化学炉自蔓延高温合成及反应过程研究
来源期刊：矿冶工程2008年第4期
论文作者：张宝林 许剑光 李文兰 张厚安
关键词：MoSi2; SiC晶须; "化学炉"自蔓延高温合成; 原位复合;
摘 要：采用"化学炉"自蔓延高温合成(COSHS)技术,成功地原位合成了SiCw/MoSi2复合粉体.通过在原料中引入Si3N4晶须,在产物中获得了SiC晶须.XRD结果表明,产物中除了主要的MoSi2和SiC相,还含有少量的Mo4.8SiC0.6.研究了中间产物的相组成和反应过程中的温度变化,指出"化学炉"自蔓延合成SiCw/MoSi2复合粉体的反应过程包括如下两步反应:①Mo与Si自蔓延反应生成MoSi2;②Si3N4与C反应生成SiC和N2.
张宝林1，许剑光2，李文兰1，张厚安2
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;
2.湖南科技大学先进材料制备与应用技术研究所,湖南,湘潭,411201)
摘要:采用"化学炉"自蔓延高温合成(COSHS)技术,成功地原位合成了SiCw/MoSi2复合粉体.通过在原料中引入Si3N4晶须,在产物中获得了SiC晶须.XRD结果表明,产物中除了主要的MoSi2和SiC相,还含有少量的Mo4.8SiC0.6.研究了中间产物的相组成和反应过程中的温度变化,指出"化学炉"自蔓延合成SiCw/MoSi2复合粉体的反应过程包括如下两步反应:①Mo与Si自蔓延反应生成MoSi2;②Si3N4与C反应生成SiC和N2.
关键词:MoSi2; SiC晶须; "化学炉"自蔓延高温合成; 原位复合;
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