块体纳米晶工业纯铁在0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为
来源期刊：腐蚀科学与防护技术2011年第4期
论文作者：孙淼 张艳 王胜刚
文章页码：293 - 297
关键词：块体纳米晶工业纯铁(BNII);深度轧制;盐酸溶液;腐蚀;
摘 要：借助动电位极化和电化学阻抗谱（EIS）测量,研究块体纳米晶工业纯铁（BNII）和粗晶工业纯铁（CPII）在室温0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为;用扫描电子显微镜（SEM）观察腐蚀后的表面形貌.结果表明,与CPII相比,BNII的自腐蚀电位Ecorr正向移动43 mV,自腐蚀电流Icorr由68.37μA·cm-2减小为29.55μA·cm-2;电荷转移电阻Rt由427.0Ω·cm2增大到890.1Ω·cm-2.两种材料发生的点蚀呈不同的形态:BNII的点蚀孔小而浅,腐蚀深度比较均匀,而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大.与CPII相比,BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高.
孙淼1,2，张艳1，王胜刚2
1. 沈阳工业大学2. 中国科学院金属研究所
摘 要：借助动电位极化和电化学阻抗谱（EIS）测量,研究块体纳米晶工业纯铁（BNII）和粗晶工业纯铁（CPII）在室温0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为;用扫描电子显微镜（SEM）观察腐蚀后的表面形貌.结果表明,与CPII相比,BNII的自腐蚀电位Ecorr正向移动43 mV,自腐蚀电流Icorr由68.37μA·cm-2减小为29.55μA·cm-2;电荷转移电阻Rt由427.0Ω·cm2增大到890.1Ω·cm-2.两种材料发生的点蚀呈不同的形态:BNII的点蚀孔小而浅,腐蚀深度比较均匀,而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大.与CPII相比,BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高.
关键词：块体纳米晶工业纯铁(BNII);深度轧制;盐酸溶液;腐蚀;
